|
 |
|
|
The Transistor as a Switch |
|
الشكل يوضح دائرة يستخدم فيها ترانزستور من نوع (NPN)
كمفتاح ويجب ملاحظة أن الترانزستور في حالته العادية يكون في
حالة فصل (Off)
وذلك لأن الجهد المسبب لحالة الانحياز الأمامي لدائرة (المشع–القاعدة/Emitter-Base)
يساوي
صفر وبالتالي فلا يمكن أن يمر تيار في دائرة ( المشع
–
المجمع /
Emitter–Collector)
المقاومة (R1)
لتحديد قيمة تيار القاعدة أما المقاومة (RL)
فهي تمثل مقاومة الحمل الموجود
بالدائرة
المطلوب وصل وفصل التيار عنها. |
 |
|
بزيادة جهد المصدر الكهربائي (
VBE
) فإن
التيار
يمر من
المصدر
(
VCC
) خلال
دائرة
( المشع
–
المجمع /
Emitter
–
Collector
) أي أن التيار يمر خلال مقاومة الحمل (
RL
) معنى ذلك أن الترانزستور (
T
) في حالة وصل (
ON) |
 |
|
|
The Transistor as a Amplifier |
|
 |
|
يستخدم
الترانزستور
في دوائر التكبير الإلكترونية ولتوضيح ذلك سوف نستخدم إحدى طرق
توصيل الترانزستور بالدائرة وهي طريقة المشع المشترك (Common
Emitter)
وسوف نلاحظ ان إشارة الدخل (Input)
قد أُدخلت من خلال دائرة (المشع
–
القاعدة) وإن إشارة الخرج (Output)
سوف تخرج من خلال دائرة ( المجمع
–
المشع ) |
|
|
The Darlington Pair |
|
وهو عبارة عن دائرة مكونة من اثنين من الترنزستورات (T1,T2)
المشع في الترانزستور (T1)
يتصل بقاعدة الترانزستور (T2) أي أن تيار المشع للترانزستور
الأول هو تيار القاعدة للترانزستور الثاني . وتعمل هذه
التركيبة كأنها ترانزستور واحد وهذه الطريقة تعطي نسبة تكبير
عالية جداً للتيار تقدر بالآلاف حيث أن نسبة التكبير النهائية
هي حاصل ضرب كسب الترانزستور الأول في كسب الترانزستور الثاني |
 |
|
|
|
|
تستخدم تركيبة مكونة من ترانزستور (T) ودايود زينر
(Dz)
ومقاومة (10
كيلو أوم). |
 |
|
|
|
وتستخدم تركيبة مكونة من ترانزستور (T)
وللحصول على جهد ثابت للقاعدة يستخدم دايودين (D1,
D2)
على التوالي أما تيار الخرج فتتوقف قيمته على مقاومة المشع (RE)
|
 |
|
|
